SK海力士将斥资130亿美元在韩国建芯片封装厂

fudashuai

       作为英伟达高带宽存储（HBM）产品的主要供应商，SK海力士（SK Hynix）计划斥资130亿美元在韩国建造一座芯片封装厂，以应对人工智能芯片需求的激增。

　　这家韩国存储芯片制造商周二表示，将斥资19万亿韩元在首尔以南的清州建造一座先进的AI芯片封装和测试工厂。

　　该新工厂定于4月开工建设，预计2027年底完工，将增加SK海力士在韩国的芯片封装产能。该公司也在美国建设工厂。

　　根据该公司发布的一份声明，在AI存储需求激增之际，SK海力士“正积极应对日益增长的HBM需求“。该公司表示，预计从2025年到2030年，HBM市场将以年均33%的速度增长。

　　汇丰分析师Ricky Seo在周二的一份研究报告中表示，SK海力士将继续受益于他所称的可能持续四到五年的“存储芯片超级周期“。他表示，这一乐观前景的支撑因素是，强劲的AI投资支持了稳健的HBM出货量，以及市场对传统通用型DRAM芯片的强劲需求。

　　Seo表示，这家芯片制造商料将公布创纪录的第四季度收益。他称，预计该公司10-12月期间的营业利润将较前一季度飙升57%，达到创纪录的18万亿韩元，其DRAM和NAND芯片价格可能分别上涨了25%和20%。

　　Seo补充说，韩元兑美元的疲软也可能提振了SK海力士的季度收益。该公司预计将于本月晚些时候公布业绩。

　　在经历了近期的上涨后，SK海力士股价在周二后市因获利了结而下跌1.6%。尽管如此，该股今年迄今已上涨约13%。（环球市场播报）