安世中国12英寸平台量产成果亮相，计划第四季度集中推新

fudashuai

       新浪科技讯 9月20日晚间消息，近日，安世中国在上海举办开放日活动。

　　据悉，自晶圆供应渠道中断后，安世中国自2025年第四季度起集中开展晶体管晶圆替代方案攻关，并于2026年一季度末与中国战略合作伙伴达成合作，顺利完成12英寸晶圆工艺平台导入，同步推进新产品验证及量产导入工作。

　　产品线层面，安世中国多款核心产品的量产与研发进展同步披露，覆盖双极性分立器件、功率器件、逻辑与模拟芯片全品类。

　　安世中国已成功实现部分12英寸晶圆双极型二极管、三极管的研发设计与量产，单基板芯片产量相比8英寸提升两倍以上。同时，针对原有6英寸、8英寸晶圆制程的主流产品推进全面迭代升级，目前已有数十个核心平台完成新品开发或处于研发推进阶段，覆盖各类小信号二极管、晶体管、保护器件、各类功率器件全品类。

　　MOSFET领域，基于先进SGT平台打造的T2x系列达到领先性能，同样封装下具备极致通流能力，功率承载上限较传统T6系列提升两倍以上；产品线同步从40V向80V、100V中高压区间延伸，发布的40-100V汽车MOSFET产品组合，已导入国内头部新能源车企及AI设备客户并实现批量供货。

　　IGBT领域，1200V FS8系列IGBT研发稳步推进，样品实测性能优于市面第七代IGBT产品，正开展最终可靠性验证，有望成为首款全维度满足车规标准的新一代IGBT；其高速型号开关特性接近碳化硅器件，兼具可靠性与成本优势，可适配AI算力基础设施场景。

　　安世中国当前12英寸平台量产逻辑芯片料号超1300颗，覆盖消费电子、工业、汽车、AI多类应用，预计四季度完成近3000颗存量产品的平台迭代更新。全新HCS系列逻辑芯片具备低噪声、低延时、高可靠特性，性能业界领先。

　　电源管理IC方面，面向AI服务器推出的NEXH5890宽输入电压高功率热插拔控制器支持9V至80V宽压输入，可直接驱动最多10颗功率MOSFET并联运行，外围器件数量减少30%以上；NEX83X88系列高功率密度PFC控制器将自适应可变导通时间控制引入CRM架构，所需电感量减少近40%，整机功率密度提升35%以上。

　　车载多通道LED驱动器已实现量产交付，全系列满足ISO26262 ASIL-B功能安全等级；消费电子领域推出的NEX10058三通道AMOLED偏置电源IC，导通损耗较竞品降低近一半。

　　此外，安世中国正与中国战略合作伙伴协同开发车规级40V V-BCD、120V高压BCD等工艺平台。

　　供应保障方面，安世中国构建研发、制造、封测一体化自主可控产业链，交付周期已由12至16周缩短至4至6周，新品开发周期压缩至6至12个月。受供应链调整影响阶段性承压的MOSFET、逻辑与模拟IC产品，供货连续性正逐步改善；晶体管产品供应预计将于2026年下半年陆续恢复常态。

　　品质层面，安世中国半导体业务超过九成的产品符合车规级要求；业内率先以十亿分之一缺陷率作为质量衡量基准，目前已顺利通过众多国内外客户的审厂与测试。

　　未来，安世中国计划于第四季度集中推出更多新品，进一步完善各应用领域产品供给。